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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AON7510_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥4.133843

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: AlphaMOS

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A(Ta),75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.25 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4500 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 4.1W(Ta),46W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN-EP(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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AON7510_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: AlphaMOS

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A(Ta),75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.25 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4500 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 4.1W(Ta),46W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN-EP(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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AON7510_未分类
AON7510
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 75A 8-Pin DFN EP T/R

未分类

+3000:

¥12.254692

+6000:

¥12.132145

+9000:

¥12.01099

+12000:

¥11.891229

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¥11.771468

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

AON7510参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: AlphaMOS
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A(Ta),75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.25 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4500 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 4.1W(Ta),46W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN-EP(3.3x3.3)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)