封装/外壳： DFN 2x2B

FET类型： N-Channel

工作温度： -55°C~150°C

栅极电压Vgs： ±8V

漏源极电压Vds： 20V

连续漏极电流Id： 8A

Rds OnMax@Id,Vgs： 12.5mΩ@8A,4.5V

Pd-功率耗散Max： 2.8W

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.5 毫欧 8A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1140 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-DFN（2x2）

封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.5 毫欧 8A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1140 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-DFN（2x2）

封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘

温度： -55°C # 150°C（TJ）