AUIRL7766M2TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRL7766M2TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.841961 +200：￥19.868321 +500：￥15.89456 +1000：￥13.245507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5305 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），62.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 M4 封装/外壳： DirectFET™ 等距 M4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	AUIRL7766M2TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥24.45523 +200：￥9.463016 +500：￥9.135198 +1000：￥8.971289	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5305 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），62.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 M4 封装/外壳： DirectFET™ 等距 M4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	AUIRL7766M2TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5305 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），62.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 M4 封装/外壳： DirectFET™ 等距 M4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	AUIRL7766M2TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5305 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），62.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 M4 封装/外壳： DirectFET™ 等距 M4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	AUIRL7766M2TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5305 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），62.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 M4 封装/外壳： DirectFET™ 等距 M4 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	AUIRL7766M2TR International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+156：￥27.436038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric M4 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 10mOhm @ 31A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 150µA Supplier Device Package： DirectFET™ Isometric M4 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5305 pF @ 25 V

Mouser

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	AUIRL7766M2TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5305 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），62.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 M4 封装/外壳： DirectFET™ 等距 M4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

AUIRL7766M2TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 毫欧 31A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	66 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5305 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），62.5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DirectFET™ 等距 M4
封装/外壳:	DirectFET™ 等距 M4
温度:	-55°C # 175°C（TJ）