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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
APT12F60K_未分类
APT12F60K
授权代理品牌

APT12F60K VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

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¥6.35967

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¥6.07815

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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APT12F60K
授权代理品牌

APT12F60K VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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APT12F60K_晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220 [K]

Digi-Key
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APT12F60K_晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220 [K]

APT12F60K_未分类
APT12F60K

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tube

Package / Case: TO-220-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 225W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA

Supplier Device Package: TO-220 [K]

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

Mouser
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APT12F60K_未分类
APT12F60K

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220 [K]

APT12F60K参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220 [K]