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自营 现货库存
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AOD2N100_未分类
AOD2N100
授权代理品牌
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¥6.049676

+10:

¥5.030894

+30:

¥4.516251

+100:

¥4.012112

+500:

¥3.707527

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 欧姆 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 580 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 83W(Tc)

工作温度: -50°C ~ 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252(DPAK)

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -50°C ~ 150°C(TJ)

自营 国内现货
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AOD2N100_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥3.199594

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 欧姆 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 580 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 83W(Tc)

工作温度: -50°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252(DPAK)

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -50°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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AOD2N100_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 欧姆 1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 580 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 83W(Tc)

工作温度: -50°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252(DPAK)

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -50°C # 150°C(TJ)

艾睿
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AOD2N100_未分类
AOD2N100
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

未分类

+2500:

¥11.525674

+5000:

¥11.410391

+10000:

¥11.296495

+15000:

¥11.1826

+20000:

¥11.07148

库存: 0

货期:7~10 天

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AOD2N100参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 欧姆 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 580 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 83W(Tc)
工作温度: -50°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252(DPAK)
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -50°C # 150°C(TJ)