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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
A2G22S251-01SR3_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

晶体管-FET,MOSFET-射频

+250:

¥645.463138

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: NXP USA Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: LDMOS

频率: 1.805GHz # 2.2GHz

增益: 17.7dB

电压 - 测试: 48 V

额定电流(安培): -

噪声系数: -

电流 - 测试: 200 mA

功率 - 输出: 52dBm

电压 - 额定: 125 V

封装/外壳: NI-400S-2S

供应商器件封装: NI-400S-2S

温度:

Digi-Key
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A2G22S251-01SR3_晶体管-FET,MOSFET-射频
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AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

晶体管-FET,MOSFET-射频

+250:

¥1578.973864

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: NXP USA Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: LDMOS

频率: 1.805GHz # 2.2GHz

增益: 17.7dB

电压 - 测试: 48 V

额定电流(安培): -

噪声系数: -

电流 - 测试: 200 mA

功率 - 输出: 52dBm

电压 - 额定: 125 V

封装/外壳: NI-400S-2S

供应商器件封装: NI-400S-2S

温度:

Mouser
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A2G22S251-01SR3_收发器芯片-接收器芯片-驱动器芯片
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: NXP USA Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: LDMOS

频率: 1.805GHz # 2.2GHz

增益: 17.7dB

电压 - 测试: 48 V

额定电流(安培): -

噪声系数: -

电流 - 测试: 200 mA

功率 - 输出: 52dBm

电压 - 额定: 125 V

封装/外壳: NI-400S-2S

供应商器件封装: NI-400S-2S

温度:

A2G22S251-01SR3参数规格

属性 参数值
品牌: NXP USA Inc.
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.805GHz # 2.2GHz
增益: 17.7dB
电压 - 测试: 48 V
额定电流(安培): -
噪声系数: -
电流 - 测试: 200 mA
功率 - 输出: 52dBm
电压 - 额定: 125 V
封装/外壳: NI-400S-2S
供应商器件封装: NI-400S-2S
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