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	AON6414AL AOS 授权代理品牌	表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta），30A（Tc） 2.3W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（5x6）下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.935714 +10：￥0.858384 +30：￥0.842917 +100：￥0.796512	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

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	AON6414AL AOS 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) AON6414AL PDFN-8(5.9x5.2) 下载数据手册未分类	+20：￥1.905992 +100：￥1.425017 +800：￥1.106182 +3000：￥0.801625 +6000：￥0.761332	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	AON6414AL Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.872475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

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AON6414AL Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN 下载数据手册未分类	+3000：￥0.751993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON6414AL AOS 授权代理品牌	AON6414AL AOS 下载数据手册未分类	+1：￥1.284848 +50：￥0.870997 +1500：￥0.78487 +3000：￥0.706383	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON6414AL Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥0.8246 +100：￥0.783651 +500：￥0.743241 +1000：￥0.684141 +3000：￥0.652808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON6414AL AOS 授权代理品牌	AON6414AL AOS 下载数据手册未分类	+1：￥1.341108 +200：￥0.924248 +1500：￥0.840205 +3000：￥0.78568	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON6414AL Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.694575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON6414AL Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥0.747247 +500：￥0.734513 +1000：￥0.728262 +3000：￥0.721895 +5000：￥0.721895	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	AON6414AL Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

AON6414AL参数规格

属性	参数值
品牌:	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Ta），30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1380 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta），31W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DFN（5x6）
封装/外壳:	8-VDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON6414AL Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN 下载数据手册未分类	+3000：￥0.751993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON6414AL AOS 授权代理品牌	AON6414AL AOS 下载数据手册未分类	+1：￥1.284848 +50：￥0.870997 +1500：￥0.78487 +3000：￥0.706383	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON6414AL Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥0.8246 +100：￥0.783651 +500：￥0.743241 +1000：￥0.684141 +3000：￥0.652808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON6414AL AOS 授权代理品牌	AON6414AL AOS 下载数据手册未分类	+1：￥1.341108 +200：￥0.924248 +1500：￥0.840205 +3000：￥0.78568	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON6414AL Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.694575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON6414AL Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥0.747247 +500：￥0.734513 +1000：￥0.728262 +3000：￥0.721895 +5000：￥0.721895	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）