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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
APT33N90JCU2_晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 26A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 270 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6800 pF 100 V

FET 功能: 超级结

功率耗散(最大值): 290W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

供应商器件封装: SOT-227

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
APT33N90JCU2_分立半导体模块
APT33N90JCU2
授权代理品牌

MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

分立半导体模块

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 26A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 270 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6800 pF 100 V

FET 功能: 超级结

功率耗散(最大值): 290W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

供应商器件封装: SOT-227

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

温度: -40°C # 150°C(TJ)

APT33N90JCU2参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 26A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 270 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6800 pF 100 V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): 290W(Tc)
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
温度: -40°C # 150°C(TJ)