AUIRL7736M2TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRL7736M2TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.258761 +200：￥11.882321 +500：￥9.50576 +1000：￥7.921507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 179A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 67A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5055 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 M4 封装/外壳： DirectFET™ 等距 M4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	AUIRL7736M2TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥14.063396 +200：￥5.45101 +500：￥5.251455 +1000：￥5.156929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 179A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 67A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5055 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 M4 封装/外壳： DirectFET™ 等距 M4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRL7736M2TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥26.121434	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 179A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 67A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5055 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 M4 封装/外壳： DirectFET™ 等距 M4 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	AUIRL7736M2TR International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric M4 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 179A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3mOhm @ 67A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 150µA Supplier Device Package： DirectFET™ Isometric M4 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 78 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5055 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRL7736M2TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥57.227213 +10：￥51.336175 +100：￥42.078832 +500：￥35.907271 +1000：￥31.418862	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 179A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 67A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5055 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 M4 封装/外壳： DirectFET™ 等距 M4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRL7736M2TR 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A Automotive 9-Pin Direct-FET M4 T/R 下载数据手册未分类	+4800：￥19.34843	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

AUIRL7736M2TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	179A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3 毫欧 67A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	78 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5055 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），63W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DirectFET™ 等距 M4
封装/外壳:	DirectFET™ 等距 M4
温度:	-55°C # 175°C（TJ）