AUIRFN8405TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRFN8405TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 187A AUTO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.93544 +200：￥9.9462 +500：￥7.95696 +1000：￥6.6308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5142 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	AUIRFN8405TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 187A AUTO 下载数据手册	+1：￥11.88208 +200：￥4.604306 +500：￥4.434562 +1000：￥4.360299	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5142 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRFN8405TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 187A AUTO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥6.627214	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5142 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRFN8405TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 187A AUTO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥16.21192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5142 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	AUIRFN8405TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 95A PQFN 下载数据手册未分类	+4000：￥19.521058	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2mOhm @ 50A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.9V @ 100µA Supplier Device Package： PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5142 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRFN8405TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 187A AUTO 下载数据手册未分类	+4000：￥22.055248	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5142 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

AUIRFN8405TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	117 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5142 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.3W（Ta），136W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）