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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRF1010Z INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.778839 +200：￥4.8158 +500：￥3.85264 +1000：￥3.210493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AUIRF1010Z International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 下载数据手册未分类	+406：￥6.910065 +2029：￥6.774545	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.5mOhm @ 75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220AB Part Status： Active Drain to Source Voltage (Vdss)： 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2840 pF @ 25 V
AUIRF1010Z VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	AUIRF1010Z VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥5.109428 +150：￥4.912964 +850：￥4.323362 +4050：￥4.244734 +8050：￥3.930329	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AUIRF1010Z INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	AUIRF1010Z INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	AUIRF1010Z INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	AUIRF1010Z International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 下载数据手册未分类	+305：￥12.816178	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.5mOhm @ 75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220AB Part Status： Active Drain to Source Voltage (Vdss)： 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2840 pF @ 25 V

Mouser

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	AUIRF1010Z INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

AUIRF1010Z参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	95 nC 10 V
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2840 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	140W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）