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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
A2T07D160W04SR3_晶体管-FET,MOSFET-射频
A2T07D160W04SR3
授权代理品牌
+1:

¥1245.70878

+250:

¥482.078371

+500:

¥465.141102

+1000:

¥456.759886

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: NXP USA Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: LDMOS(双)

频率: 803MHz

增益: 21.5dB

电压 - 测试: 28 V

额定电流(安培): -

噪声系数: -

电流 - 测试: 450 mA

功率 - 输出: 30W

电压 - 额定: 70 V

封装/外壳: NI-780S-4L

供应商器件封装: NI-780S-4L

温度:

自营 国内现货
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A2T07D160W04SR3_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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¥411.805576

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: NXP USA Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: LDMOS(双)

频率: 803MHz

增益: 21.5dB

电压 - 测试: 28 V

额定电流(安培): -

噪声系数: -

电流 - 测试: 450 mA

功率 - 输出: 30W

电压 - 额定: 70 V

封装/外壳: NI-780S-4L

供应商器件封装: NI-780S-4L

温度:

Digi-Key
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A2T07D160W04SR3_晶体管-FET,MOSFET-射频
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+250:

¥1007.385553

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: NXP USA Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: LDMOS(双)

频率: 803MHz

增益: 21.5dB

电压 - 测试: 28 V

额定电流(安培): -

噪声系数: -

电流 - 测试: 450 mA

功率 - 输出: 30W

电压 - 额定: 70 V

封装/外壳: NI-780S-4L

供应商器件封装: NI-780S-4L

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Mouser
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A2T07D160W04SR3_晶体管
A2T07D160W04SR3
授权代理品牌

FET RF 2CH 70V 803MHZ

晶体管

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¥1207.954484

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: NXP USA Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: LDMOS(双)

频率: 803MHz

增益: 21.5dB

电压 - 测试: 28 V

额定电流(安培): -

噪声系数: -

电流 - 测试: 450 mA

功率 - 输出: 30W

电压 - 额定: 70 V

封装/外壳: NI-780S-4L

供应商器件封装: NI-780S-4L

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艾睿
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A2T07D160W04SR3_未分类
A2T07D160W04SR3
授权代理品牌

Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin NI-780S T/R

未分类

+250:

¥1206.847627

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¥1194.688986

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¥1182.803571

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¥1170.918159

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库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

A2T07D160W04SR3参数规格

属性 参数值
品牌: NXP USA Inc.
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 不适用于新设计
晶体管类型: LDMOS(双)
频率: 803MHz
增益: 21.5dB
电压 - 测试: 28 V
额定电流(安培): -
噪声系数: -
电流 - 测试: 450 mA
功率 - 输出: 30W
电压 - 额定: 70 V
封装/外壳: NI-780S-4L
供应商器件封装: NI-780S-4L
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