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自营 国内现货
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A3T21H360W23SR6_晶体管-FET,MOSFET-射频
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AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

晶体管-FET,MOSFET-射频

+150:

¥438.251111

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: NXP USA Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: LDMOS(双)

频率: 2.11GHz # 2.2GHz

增益: 16.4dB

电压 - 测试: 28 V

额定电流(安培): 10µA

噪声系数: -

电流 - 测试: 600 mA

功率 - 输出: 328W

电压 - 额定: 65 V

封装/外壳: ACP-1230S-4L2S

供应商器件封装: ACP-1230S-4L2S

温度:

Digi-Key
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A3T21H360W23SR6_晶体管-FET,MOSFET-射频
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AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

晶体管-FET,MOSFET-射频

+150:

¥1072.078339

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: NXP USA Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: LDMOS(双)

频率: 2.11GHz # 2.2GHz

增益: 16.4dB

电压 - 测试: 28 V

额定电流(安培): 10µA

噪声系数: -

电流 - 测试: 600 mA

功率 - 输出: 328W

电压 - 额定: 65 V

封装/外壳: ACP-1230S-4L2S

供应商器件封装: ACP-1230S-4L2S

温度:

Mouser
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A3T21H360W23SR6_未分类
A3T21H360W23SR6
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AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

未分类

+150:

¥1119.842782

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: NXP USA Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: LDMOS(双)

频率: 2.11GHz # 2.2GHz

增益: 16.4dB

电压 - 测试: 28 V

额定电流(安培): 10µA

噪声系数: -

电流 - 测试: 600 mA

功率 - 输出: 328W

电压 - 额定: 65 V

封装/外壳: ACP-1230S-4L2S

供应商器件封装: ACP-1230S-4L2S

温度:

艾睿
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A3T21H360W23SR6_未分类
A3T21H360W23SR6
授权代理品牌

Trans RF FET N-CH 65V 6-Pin T/R

未分类

+150:

¥1028.496228

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

A3T21H360W23SR6参数规格

属性 参数值
品牌: NXP USA Inc.
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: LDMOS(双)
频率: 2.11GHz # 2.2GHz
增益: 16.4dB
电压 - 测试: 28 V
额定电流(安培): 10µA
噪声系数: -
电流 - 测试: 600 mA
功率 - 输出: 328W
电压 - 额定: 65 V
封装/外壳: ACP-1230S-4L2S
供应商器件封装: ACP-1230S-4L2S
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