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	AUIRFR4615TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥18.988893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	AUIRFR4615TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥12.85047 +200：￥4.971908 +500：￥4.797072 +1000：￥4.709653	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	AUIRFR4615TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	AUIRFR4615TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	AUIRFR4615TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥9.55829	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	AUIRFR4615TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥23.382111	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	AUIRFR4615TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 下载数据手册未分类	+3000：￥22.001979 +6000：￥21.108779	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 42mOhm @ 21A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 100µA Supplier Device Package： TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1750 pF @ 50 V

Mouser

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	AUIRFR4615TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥51.68889 +10：￥43.536068 +25：￥41.090222 +100：￥35.22019 +250：￥33.263514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	AUIRFR4615TRL Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 150V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥25.713971	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	AUIRFR4615TRL Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+3000：￥13.846617 +6000：￥13.657843	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

AUIRFR4615TRL参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	42 毫欧 21A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1750 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	144W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-PAK（TO-252AA）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）