搜索 AOB11S60L 共 9 条相关记录
自营 现货库存
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
AOB11S60L 授权代理品牌 | +10： ￥12.862894 +800： ￥12.112559 +2400： ￥11.790987 +3200： ￥11.255032 | 暂无参数 | |||
AOB11S60L | +1： ￥14.127656 +30： ￥13.656734 +100： ￥13.068082 +800： ￥12.71489 | 暂无参数 |
自营 国内现货
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | 1+: | ||||
| 授权代理品牌 | 1+: | 系列： aMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263 (D²Pak) | |||
| 授权代理品牌 | 1+: | 系列： aMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263 (D²Pak) |
艾睿
AOB11S60L参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | aMOS™ |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 399 毫欧 3.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.1V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 11 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 545 pF 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 178W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-263（D2Pak） |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |