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AON6262E_未分类
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N通道AlphaSGT TM VDS=60V VGS=±20V ID=40A DFN5X6

未分类

+1:

¥2.238488

+10:

¥2.087238

+30:

¥2.056988

+100:

¥1.966238

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: AlphaSGT™

工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerSMD, Flat Leads

供应商器件封装: 8-DFN (5x6)

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AON6262E_未分类
授权代理品牌

场效应管(MOSFET) AON6262E PDFN-8(5.2x5.6)

未分类

+100:

¥3.815424

+1000:

¥3.237264

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¥2.312352

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 现货库存
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AON6262E_未分类
AON6262E
授权代理品牌
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¥2.48049

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¥2.283799

+30:

¥2.251018

+100:

¥2.207309

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: AlphaSGT™

工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerSMD, Flat Leads

供应商器件封装: 8-DFN (5x6)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AON6262E_未分类
AON6262E
授权代理品牌
+1:

¥3.108111

+30:

¥2.331637

+100:

¥2.101656

+500:

¥2.023029

+1500:

¥1.966218

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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AON6262E_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥3.209899

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¥3.05709

+9000:

¥2.91596

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: AlphaSGT™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.2 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1650 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerSMD,扁平引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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AON6262E_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥5.58315

+6000:

¥5.317363

+9000:

¥5.071888

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: AlphaSGT™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.2 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1650 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerSMD,扁平引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AON6262E_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥13.457576

+10:

¥11.040198

+100:

¥8.589175

+500:

¥7.280549

+1000:

¥5.930804

库存: 0

货期:7~10 天

系列: AlphaSGT™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerSMD, Flat Leads

供应商器件封装: 8-DFN (5x6)

AON6262E_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥13.457576

+10:

¥11.040198

+100:

¥8.589175

+500:

¥7.280549

+1000:

¥5.930804

库存: 0

货期:7~10 天

系列: AlphaSGT™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerSMD, Flat Leads

供应商器件封装: 8-DFN (5x6)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AON6262E_未分类
AON6262E
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin DFN EP T/R

未分类

+3000:

¥8.359346

+4000:

¥8.275128

+5000:

¥8.193461

+6000:

¥8.110518

+10000:

¥8.030127

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

AON6262E参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: AlphaSGT™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.2 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1650 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 48W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerSMD,扁平引线
温度: -55°C # 150°C(TJ)