封装/外壳： DFN 3x3 EP

FET类型： N-Channel

工作温度： -55°C~150°C

栅极电压Vgs： 20V

漏源极电压Vds： 30V

连续漏极电流Id： 22A

Rds OnMax@Id,Vgs： 21mΩ@8A,10V

Pd-功率耗散Max： 17W

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21mOhm 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 888pF 15V

功率 - 最大值： 3.1W

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerSMD, Flat Leads

供应商器件封装： 8-DFN (3x3)

温度： -55°C # 150°C (TJ)