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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APT5010LVFRG Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 47A TO-264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥159.013633 +200：￥61.542385 +500：￥59.378785 +1000：￥58.307913	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：管件封装/外壳： * 系列： POWER MOS V® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 470 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264 [L] 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APT5010LVFRG Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 47A TO-264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥102.301056	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：管件封装/外壳： * 系列： POWER MOS V® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 470 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264 [L] 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APT5010LVFRG Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 47A TO-264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥250.25549	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：管件封装/外壳： * 系列： POWER MOS V® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 470 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264 [L] 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APT5010LVFRG Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 47A TO-264 下载数据手册未分类	+1：￥320.124049 +100：￥276.351984	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：管件封装/外壳： * 系列： POWER MOS V® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 470 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264 [L] 封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -

APT5010LVFRG参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	POWER MOS V®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	470 nC 10 V
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-264 [L]
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
温度:	-