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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AONR66922 AOS 授权代理品牌	N沟道 100V 50A 15A 下载数据手册未分类	+1：￥25.648106 +200：￥9.935753 +500：￥9.578654 +1000：￥9.410607	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 100V 连续漏极电流(Id)： 15A；50A 功率(Pd)： 4.1W；52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 9mΩ@15A,10V

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AONR66922 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN 下载数据手册未分类	+5000：￥4.533	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W (Ta)，52W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AONR66922 Switchcraft Inc. 授权代理品牌	AONR66922 万代下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： DFN3.3x3.3EP FET类型： N-Channel 工作温度： -55°C~150°C 栅极电压Vgs： ±20V 漏源极电压Vds： 100V 连续漏极电流Id： 50A Rds OnMax@Id,Vgs： 9mΩ@15A,10V Pd-功率耗散Max： 52W

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AONR66922 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.098806 +6000：￥3.903659 +9000：￥3.723484	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W (Ta)，52W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AONR66922 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥7.129276 +6000：￥6.789847 +9000：￥6.476459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W (Ta)，52W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AONR66922 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.195791 +10：￥14.105534 +100：￥10.967926 +500：￥9.296694 +1000：￥7.573252	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： AlphaSGT™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-DFN-EP (3.3x3.3)
AONR66922 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.195791 +10：￥14.105534 +100：￥10.967926 +500：￥9.296694 +1000：￥7.573252	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： AlphaSGT™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-DFN-EP (3.3x3.3)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AONR66922 授权代理品牌	100V N-Channel MOSFET 下载数据手册未分类	+3000：￥12.866543 +4000：￥12.738881 +5000：￥12.611216 +6000：￥12.485002 +8000：￥12.36024	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

AONR66922参数规格

属性	参数值
品牌:	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	AlphaSGT™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	46 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2180 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	4.1W (Ta)，52W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DFN-EP（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）