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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AO4435L_未分类
AO4435L
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

封装/外壳: 8-SOIC

FET类型: P-Channel

工作温度: -55°C~150°CTJ

栅极电压Vgs: ±25V

漏源极电压Vds: 30V

连续漏极电流Id: 10.5ATa

Rds OnMax@Id,Vgs: 14mΩ@11A,20V

Pd-功率耗散Max: 3.1WTa

自营 国内现货
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AO4435L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 11A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1400 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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AO4435L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 11A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1400 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AO4435L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

AO4435L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

AO4435L参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 11A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1400 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.1W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 150°C(TJ)