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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AS4PD-M3/86A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A 下载数据手册二极管整流器	+1500：￥1.724003 +3000：￥1.562397 +7500：￥1.554119	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态：在售二极管类型：雪崩电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2.4A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 962 mV 2 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.8 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN 供应商器件封装： TO-277A（SMPC）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AS4PD-M3/86A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A 下载数据手册二极管整流器	+1500：￥4.217367 +3000：￥3.822037 +7500：￥3.801788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态：在售二极管类型：雪崩电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2.4A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 962 mV 2 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.8 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN 供应商器件封装： TO-277A（SMPC）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：
	AS4PD-M3/86A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A 下载数据手册二极管整流器	+1：￥9.917707 +10：￥8.691768 +100：￥6.66828 +500：￥5.271813	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： eSMP® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： TO-277, 3-PowerDFN 供应商器件封装： TO-277A (SMPC)
	AS4PD-M3/86A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A 下载数据手册二极管整流器	+1：￥9.917707 +10：￥8.691768 +100：￥6.66828 +500：￥5.271813	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： eSMP® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： TO-277, 3-PowerDFN 供应商器件封装： TO-277A (SMPC)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AS4PD-M3/86A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥11.41395 +10：￥9.84861 +100：￥7.207096 +500：￥5.870032 +1000：￥4.956915	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态：在售二极管类型：雪崩电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2.4A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 962 mV 2 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.8 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN 供应商器件封装： TO-277A（SMPC）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

AS4PD-M3/86A参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	eSMP®
零件状态:	在售
二极管类型:	雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	2.4A（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	962 mV 2 A
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	1.8 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	60pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装:	TO-277A（SMPC）
工作温度 - 结:	-55°C # 175°C
温度: