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自营 现货库存
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AOT292L_未分类
AOT292L
授权代理品牌
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¥30.749338

+200:

¥12.271324

+500:

¥11.856088

+1000:

¥11.659397

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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AOT292L_null
AOT292L
授权代理品牌
+1:

¥21.159187

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¥15.247008

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¥13.123987

+1000:

¥10.368

库存: 1000 +

国内:1~2 天

封装/外壳: TO-220

FET类型: N-Channel

栅极电压Vgs: 20V

漏源极电压Vds: 100V

连续漏极电流Id: 105A

Rds OnMax@Id,Vgs: 4.5mΩ@10V

Pd-功率耗散Max: 300W

自营 国内现货
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AOT292L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1000:

¥12.838055

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14.5A(Ta),105A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 126 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6775 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.1W(Ta),300W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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AOT292L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥20.069609

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14.5A(Ta),105A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 126 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6775 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.1W(Ta),300W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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AOT292L_未分类
AOT292L
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

未分类

+1000:

¥34.619918

+2000:

¥34.271181

+2500:

¥33.938299

+3000:

¥33.589563

+4000:

¥33.256679

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

AOT292L参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14.5A(Ta),105A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 126 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6775 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.1W(Ta),300W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)