AUIRFR8403TRL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	AUIRFR8403TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.865504 +10：￥30.485664 +30：￥25.105824 +100：￥22.415904 +500：￥20.622672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 76A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 99 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3171 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	AUIRFR8403TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥10.061788 +200：￥3.89658 +500：￥3.760042 +1000：￥3.697024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 76A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 99 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3171 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	AUIRFR8403TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.543539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 76A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 99 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3171 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	AUIRFR8403TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥8.914038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 76A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 99 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3171 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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AUIRFR8403TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥15.403428	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 76A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 99 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3171 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
AUIRFR8403TRL International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥12.15441	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 76A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.9V @ 100µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3171 pF @ 25 V
AUIRFR8403TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册未分类	+3000：￥16.582262	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 76A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.9V @ 100µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3171 pF @ 25 V
AUIRFR8403TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥33.546173 +10：￥30.130783 +100：￥24.220093 +500：￥19.898716 +1000：￥16.582262	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 76A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.9V @ 100µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3171 pF @ 25 V
AUIRFR8403TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥33.546173 +10：￥30.130783 +100：￥24.220093 +500：￥19.898716 +1000：￥16.582262	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 76A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.9V @ 100µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3171 pF @ 25 V

Mouser

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	AUIRFR8403TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥37.906816 +10：￥33.990823 +100：￥27.411952 +500：￥22.556122 +1000：￥20.519806	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 76A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 99 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3171 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

AUIRFR8403TRL参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.1 毫欧 76A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	99 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3171 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	99W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AUIRFR8403TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥15.403428	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 76A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 99 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3171 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
AUIRFR8403TRL International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥12.15441	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 76A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.9V @ 100µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3171 pF @ 25 V
AUIRFR8403TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册未分类	+3000：￥16.582262	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 76A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.9V @ 100µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3171 pF @ 25 V
AUIRFR8403TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥33.546173 +10：￥30.130783 +100：￥24.220093 +500：￥19.898716 +1000：￥16.582262	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 76A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.9V @ 100µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3171 pF @ 25 V
AUIRFR8403TRL INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥33.546173 +10：￥30.130783 +100：￥24.220093 +500：￥19.898716 +1000：￥16.582262	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 76A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.9V @ 100µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3171 pF @ 25 V