品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V

电流 - 平均整流 (Io)： 2.1A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 1.2 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容： 37pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V

电流 - 平均整流 (Io)： 2.1A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 1.2 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容： 37pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eSMP®

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 400 V

电流 - 平均整流 (Io)： 2.1A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 1.2 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容： 37pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN

供应商器件封装： TO-277A（SMPC）

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：