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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON7262E AOS 授权代理品牌	MOSFETs 60V 3.00 x 3.00mm SMT DFN8L_3X3MM-EP 34A N-Channel 下载数据手册未分类	+1：￥3.50658 +10：￥3.36743 +100：￥2.94998 +500：￥2.86649	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： AlphaSGT™ 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-DFN-EP (3x3)

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	AON7262E AOS 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) AON7262E DFN-8(3.3x3.3) 下载数据手册未分类	+10：￥10.137456 +100：￥8.257824 +300：￥6.623136 +500：￥5.913504 +1000：￥5.488992	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

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	AON7262E AOS 授权代理品牌	N沟道 60V 21A 下载数据手册未分类	+1：￥4.906344 +10：￥4.097726 +30：￥3.693417 +100：￥3.300036 +500：￥2.699036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： AlphaSGT™ 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-DFN-EP (3x3)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON7262E Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN 下载数据手册未分类	+5000：￥2.363573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7262E AOS 授权代理品牌	AON7262E AOS 下载数据手册未分类	+1：￥3.263153 +100：￥2.688308 +500：￥2.46971 +2500：￥2.375693 +5000：￥2.282943	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7262E Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥2.722734 +100：￥2.58757 +500：￥2.454243 +1000：￥2.259113 +5000：￥2.155498	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7262E AOS 授权代理品牌	AON7262E AOS 下载数据手册未分类	+1：￥6.690146 +100：￥5.528663 +500：￥5.086975 +2500：￥4.803681 +5000：￥4.537026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7262E Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.852388 +6000：￥2.804848 +9000：￥2.757308 +12000：￥2.709769	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON7262E AOS 授权代理品牌	下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： DFN 3x3 EP FET类型： N-Channel 栅极电压Vgs： 20V 漏源极电压Vds： 60V 连续漏极电流Id： 34A Rds OnMax@Id,Vgs： 6.2mΩ@10V Pd-功率耗散Max： 43W

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON7262E Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥2.840121 +10000：￥2.733351 +25000：￥2.70485	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

AON7262E参数规格

属性	参数值
品牌:	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	AlphaSGT™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	21A（Ta），34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.2 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	45 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1650 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	5W（Ta），43W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DFN-EP（3x3）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON7262E Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN 下载数据手册未分类	+5000：￥2.363573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7262E AOS 授权代理品牌	AON7262E AOS 下载数据手册未分类	+1：￥3.263153 +100：￥2.688308 +500：￥2.46971 +2500：￥2.375693 +5000：￥2.282943	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7262E Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥2.722734 +100：￥2.58757 +500：￥2.454243 +1000：￥2.259113 +5000：￥2.155498	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7262E AOS 授权代理品牌	AON7262E AOS 下载数据手册未分类	+1：￥6.690146 +100：￥5.528663 +500：￥5.086975 +2500：￥4.803681 +5000：￥4.537026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7262E Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.852388 +6000：￥2.804848 +9000：￥2.757308 +12000：￥2.709769	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.2 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1650 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）