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AOB1608L_未分类
AOB1608L
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¥12.937888

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¥5.168599

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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AOB1608L_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥7.212698

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta),140A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 84 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3690 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.1W(Ta),333W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(D2Pak)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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AOB1608L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥12.463518

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta),140A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 84 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3690 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.1W(Ta),333W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(D2Pak)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

AOB1608L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263 (D²Pak)

AOB1608L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263 (D²Pak)

艾睿
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AOB1608L_未分类
AOB1608L
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+800:

¥13.98065

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

AOB1608L参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta),140A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.7V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 84 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3690 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.1W(Ta),333W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263(D2Pak)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)