AON6298厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 AON6298 共 9 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON6298 AOS 授权代理品牌	100V N-Channel MOSFET VDS=100V ID=46A DFN8_5.55X5.2MM_EP 下载数据手册未分类	+1：￥7.081115 +10：￥6.536414 +30：￥6.427465 +100：￥6.100651	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON6298 AOS 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) AON6298 DFN-8(5.1x5.8) 下载数据手册未分类	+10：￥13.245023 +200：￥8.957025 +800：￥6.574898 +3000：￥4.764375 +6000：￥4.526126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON6298 AOS 授权代理品牌	N沟道 100V 14.5A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.513272 +10：￥2.447708 +30：￥2.403999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1307 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.4W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON6298 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A/46A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.541614	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1307 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.4W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON6298 AOS 授权代理品牌	AON6298 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥4.187824 +100：￥3.487693 +750：￥3.24135 +1500：￥3.0728 +3000：￥2.93018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	AON6298 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A/46A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥5.00094 +5000：￥4.834242 +9000：￥4.709219 +15000：￥4.667544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1307 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.4W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON6298 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A/46A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.335925	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1307 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.4W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON6298 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14.5A/46A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥8.160556	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1307 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.4W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON6298 Alpha & Omega Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 46A 8-Pin DFN EP 下载数据手册未分类	+3000：￥7.814714 +4000：￥7.74197 +5000：￥7.669224 +6000：￥7.596478	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

AON6298参数规格

属性	参数值
品牌:	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14.5A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16.5 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1307 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	7.4W（Ta），78W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerSMD，扁平引线
温度:	-55°C # 150°C（TJ）