类型： -

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

功率(Pd)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

封装/外壳： TO-251A

FET类型： N-Channel

栅极电压Vgs： 20V

漏源极电压Vds： 60V

连续漏极电流Id： 12A

Rds OnMax@Id,Vgs： 60mΩ@10V

Pd-功率耗散Max： 20W

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta），12A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），20W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-251A

封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta），12A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），20W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-251A

封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak

温度： -55°C # 175°C（TJ）