耐压： 30V

电流： 6A

类型： P沟道

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.2V@250uA

漏源电压(Vdss)： 30V

连续漏极电流(Id)： 6A

功率(Pd)： 2.5W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 42mΩ@6A,10V

封装/外壳： 8-SOIC

FET类型： P-Channel

工作温度： -55°C~150°CTJ

栅极电压Vgs： ±20V

漏源极电压Vds： 30V

连续漏极电流Id： 6ATa

Rds OnMax@Id,Vgs： 42mΩ@6A,10V

Pd-功率耗散Max： 2.5WTa

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）