AON6407厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 AON6407 共 15 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON6407 AOS 授权代理品牌	MOSFETs 30V 5.50 x 5.20mm SMT DFN8L_5.5X5.2MM 85A P-channel 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.923201 +10：￥7.313724 +30：￥7.191829 +100：￥6.826142	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSMD, Flat Leads 供应商器件封装： 8-DFN (5x6)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON6407 AOS 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) AON6407 PDFN-8(5.8x4.9) 下载数据手册未分类	+100：￥9.891792 +1000：￥8.39304 +3000：￥5.995008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON6407 AOS 授权代理品牌	P沟道 30V 32A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.228853 +10：￥3.518581 +30：￥3.157981 +100：￥2.808308 +500：￥2.60069	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSMD, Flat Leads 供应商器件封装： 8-DFN (5x6)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON6407 Alpha 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.219168 +10：￥2.162328 +50：￥2.105373	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3505 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.3W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON6407 Alpha 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.336782 +200：￥2.086503 +500：￥2.048533 +20000：￥1.896768	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3505 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.3W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON6407 AOS 授权代理品牌	AON6407 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥3.850724 +100：￥3.085765 +750：￥2.748665 +1500：￥2.59308 +3000：￥2.476391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON6407 Alpha 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥2.731764 +500：￥2.708032 +1000：￥2.660454 +3000：￥2.612991 +5000：￥2.612991	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3505 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.3W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON6407 TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	AON6407 TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+5000：￥2.092986 +15000：￥2.03742 +50000：￥2.000376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON6407 授权代理品牌	AON6407 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥5.933407 +20：￥5.784421 +50：￥5.685443 +200：￥5.537499 +5000：￥5.389554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON6407 Alpha 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.795103 +6000：￥2.661996 +9000：￥2.539134	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3505 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.3W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

AON6407参数规格

属性	参数值
品牌:	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	32A（Ta），85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.6V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	105 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3505 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	7.3W（Ta），83W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerSMD，扁平引线
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON6407 Alpha 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.219168 +10：￥2.162328 +50：￥2.105373	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3505 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.3W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON6407 Alpha 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.336782 +200：￥2.086503 +500：￥2.048533 +20000：￥1.896768	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3505 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.3W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON6407 AOS 授权代理品牌	AON6407 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥3.850724 +100：￥3.085765 +750：￥2.748665 +1500：￥2.59308 +3000：￥2.476391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON6407 Alpha 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥2.731764 +500：￥2.708032 +1000：￥2.660454 +3000：￥2.612991 +5000：￥2.612991	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 105 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3505 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7.3W（Ta），83W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON6407 TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	AON6407 TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+5000：￥2.092986 +15000：￥2.03742 +50000：￥2.000376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON6407 授权代理品牌	AON6407 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥5.933407 +20：￥5.784421 +50：￥5.685443 +200：￥5.537499 +5000：￥5.389554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数