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AOTF11S65L_未分类
AOTF11S65L
授权代理品牌
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¥8.162671

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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AOTF11S65L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥9.154652

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: aMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 399 毫欧 5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 646 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 31W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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AOTF11S65L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: aMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 399 毫欧 5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 646 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 31W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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AOTF11S65L_未分类
AOTF11S65L
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R

未分类

+1000:

¥14.465914

+2000:

¥13.855526

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

AOTF11S65L参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: aMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 399 毫欧 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.2 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 646 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 31W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)