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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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APT100MC120JCU2 授权代理品牌 | +: ¥ |
APT100MC120JCU2参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Microchip Technology |
包装: | 散装 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss): | 1200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 143A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 20V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 17 毫欧 100A,20V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.3V 2mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 360 nC 20 V |
Vgs(最大值): | +25V,-10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 5960 pF 1000 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 600W(Tc) |
工作温度: | -40°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 底座安装 |
供应商器件封装: | SOT-227 |
封装/外壳: | SOT-227-4,miniBLOC |
温度: | -40°C # 150°C(TJ) |