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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
APT100MC120JCU2_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥2719.066571

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¥2604.204974

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¥2546.764292

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss): 1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 143A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17 毫欧 100A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 360 nC 20 V

Vgs(最大值): +25V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5960 pF 1000 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

供应商器件封装: SOT-227

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
APT100MC120JCU2_分立半导体模块
APT100MC120JCU2
授权代理品牌

MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

分立半导体模块

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货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss): 1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 143A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17 毫欧 100A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 360 nC 20 V

Vgs(最大值): +25V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5960 pF 1000 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

供应商器件封装: SOT-227

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

温度: -40°C # 150°C(TJ)

APT100MC120JCU2参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 143A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17 毫欧 100A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 360 nC 20 V
Vgs(最大值): +25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5960 pF 1000 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 600W(Tc)
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
温度: -40°C # 150°C(TJ)