锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 AON44216 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AON4421_未分类
AON4421
授权代理品牌
+1:

¥3.551363

+200:

¥1.420545

+500:

¥1.376836

+1000:

¥1.354981

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AON4421_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥1.767815

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1120 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(3x2)

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AON4421_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥3.054779

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1120 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(3x2)

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AON4421_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: 8-DFN (3x2)

AON4421_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: 8-DFN (3x2)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AON4421_未分类
AON4421
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin DFN-A T/R

未分类

+3000:

¥3.871509

+6000:

¥3.837057

+9000:

¥3.834503

+12000:

¥3.796222

+15000:

¥3.757941

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

AON4421参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1120 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN(3x2)
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
温度: -55°C # 150°C(TJ)