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AON7528_未分类
AON7528
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AON7528_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥2.558476

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¥2.324142

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¥2.319701

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2895 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 6.2W(Ta),83W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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AON7528_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥4.210466

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¥4.016111

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¥4.008436

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2895 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 6.2W(Ta),83W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AON7528_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥8.739824

+100:

¥6.801217

+500:

¥5.765065

+1000:

¥4.696232

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-DFN (3x3)

AON7528_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥5.765065

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¥4.696232

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-DFN (3x3)

艾睿
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AON7528_未分类
AON7528
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin DFN EP

未分类

+3000:

¥7.909949

+4000:

¥7.831002

+5000:

¥7.753469

+6000:

¥7.675935

+8000:

¥7.5984

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

AON7528参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2895 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 6.2W(Ta),83W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)