AO4262E厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 AO4262E 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AO4262E AOS 授权代理品牌	表面贴装型 N 通道 60 V 16.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO 下载数据手册未分类	+1：￥2.772347 +10：￥2.554052 +30：￥2.510393 +100：￥2.379416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1652 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AO4262E AOS 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) AO4262E SOIC-8 下载数据手册未分类	+10：￥5.466175 +200：￥3.69655 +800：￥2.713425 +3000：￥1.96625 +6000：￥1.867998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AO4262E AOS 授权代理品牌	N沟道 60V 16.5A 下载数据手册未分类	+1：￥2.994072 +10：￥2.316581 +30：￥2.032472 +100：￥1.6828 +500：￥1.518891	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1652 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AO4262E Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 16.5A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.522078 +6000：￥2.401971 +9000：￥2.291098	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1652 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AO4262E Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 16.5A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.169669 +6000：￥5.875857 +9000：￥5.604633	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaSGT™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1652 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AO4262E Alpha & Omega Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 16.5A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥6.610698 +6000：￥6.25792 +9000：￥5.928556	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

AO4262E参数规格

属性	参数值
品牌:	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	AlphaSGT™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.5 毫欧 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1652 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）