封装/外壳： SO-8

FET类型： N-Channel

栅极电压Vgs： 20V

漏源极电压Vds： 100V

连续漏极电流Id： 4.2A

Rds OnMax@Id,Vgs： 79mΩ@10V

Pd-功率耗散Max： 3.1W

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 79 毫欧 3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 942 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）