锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 AON75665 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AON7566_未分类
AON7566
授权代理品牌
+1:

¥3.627854

+200:

¥1.453327

+500:

¥1.398691

+1000:

¥1.376836

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AON7566_未分类
AON7566
授权代理品牌

MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN

未分类

+1:

¥5.62388

+30:

¥4.608467

+100:

¥4.43635

+500:

¥4.312189

+2500:

¥4.191192

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: AlphaMOS

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.7 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3020 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 30W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AON7566_null
AON7566
授权代理品牌
+1:

¥6.000048

+100:

¥4.799952

+1000:

¥3.375072

+2500:

¥2.769264

+5000:

¥2.16

库存: 1000 +

国内:1~2 天

封装/外壳: DFN 3x3 EP

FET类型: N-Channel

工作温度: -55°C~150°C

栅极电压Vgs: ±20V

漏源极电压Vds: 30V

连续漏极电流Id: 34A

Rds OnMax@Id,Vgs: 3.7mΩ@20A,10V

Pd-功率耗散Max: 30W

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AON7566_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+5000:

¥1.476003

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: AlphaMOS

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.7 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3020 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 30W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AON7566_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+5000:

¥2.582485

+10000:

¥2.391214

+25000:

¥2.367536

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: AlphaMOS

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.7 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3020 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 30W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AON7566参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: AlphaMOS
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.7 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3020 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 30W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)