AO3435厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AO3435 AOS 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) AO3435 SOT-23 下载数据手册未分类	+10：￥1.597805 +200：￥1.08053 +800：￥0.793155 +3000：￥0.57475 +6000：￥0.546073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AO3435 AOS 授权代理品牌	P沟道 20V 2.9A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.202546 +50：￥0.957885 +150：￥0.853092 +500：￥0.722293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3L

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AO3435 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	AO3435 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+50：￥0.256752 +3000：￥0.241786 +9000：￥0.235356 +99000：￥0.224712	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	AO3435 AOS 授权代理品牌	AO3435 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥1.242023 +50：￥0.836131 +1500：￥0.753182 +3000：￥0.678769 +18000：￥0.668019	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AO3435 Alpha 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3L 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.539814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 745 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AO3435 Alpha 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3L 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.320528	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 745 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AO3435 Alpha 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3L 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.429241 +10：￥4.085503 +100：￥2.544957 +500：￥1.741702 +1000：￥1.339665	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3L
AO3435 Alpha 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3L 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.429241 +10：￥4.085503 +100：￥2.544957 +500：￥1.741702 +1000：￥1.339665	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3L

AO3435参数规格

属性	参数值
品牌:	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	745 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）