类型： P沟道

漏源电压(Vdss)： 30V

连续漏极电流(Id)： 4A

功率(Pd)： 2W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 55mΩ@10V,4.1A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2V@250uA

封装/外壳： TSOP-6

FET类型： P-Channel

栅极电压Vgs： 20V

漏源极电压Vds： -30V

连续漏极电流Id： -6A

Rds OnMax@Id,Vgs： 35mΩ@10V

Pd-功率耗散Max： 2W

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.5 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 920 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-TSOP

封装/外壳： SC-74，SOT-457

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.5 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 920 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-TSOP

封装/外壳： SC-74，SOT-457

温度： -55°C # 150°C（TJ）