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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON3414 AOS 授权代理品牌	表面贴装型 N 通道 30 V 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-DFN（3x3）下载数据手册未分类	+1：￥1.910534 +10：￥1.763571 +30：￥1.734178 +100：￥1.646	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： 8-DFN (2.9x2.3)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON3414 AOS 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) AON3414 DFN-8(2.5x3) 下载数据手册未分类	+10：￥2.480863 +200：￥1.677665 +800：￥1.231538 +3000：￥0.892375 +6000：￥0.847726	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON3414 AOS 授权代理品牌	N沟道 30V 10.5A 下载数据手册未分类	+5：￥1.287779 +50：￥1.037654 +150：￥0.930566 +500：￥0.796816 +3000：￥0.662739	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： 8-DFN (2.9x2.3)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON3414 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.998073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（3x3）封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON3414 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥0.882458 +5000：￥0.853054 +9000：￥0.831059 +15000：￥0.82365	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（3x3）封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON3414 AOS 授权代理品牌	AON3414 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥1.887739 +200：￥1.449579 +1500：￥1.26077 +3000：￥1.095576	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON3414 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.047419 +6000：￥1.029939 +9000：￥1.012459 +12000：￥0.995094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（3x3）封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON3414 授权代理品牌	AON3414 万国下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： DFN3x3 FET类型： N-Channel 栅极电压Vgs： 20V 漏源极电压Vds： 30V 连续漏极电流Id： 10.5A Rds OnMax@Id,Vgs： 17mΩ@10V Pd-功率耗散Max： 3.1W

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON3414 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.669543 +6000：￥0.64175 +9000：￥0.577574 +30000：￥0.568988 +75000：￥0.534752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（3x3）封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON3414 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.964193 +6000：￥1.789635 +9000：￥1.700597 +15000：￥1.600696 +21000：￥1.541338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（3x3）封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

AON3414参数规格

属性	参数值
品牌:	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	690 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DFN（3x3）
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON3414 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥0.882458 +5000：￥0.853054 +9000：￥0.831059 +15000：￥0.82365	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（3x3）封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON3414 AOS 授权代理品牌	AON3414 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥1.887739 +200：￥1.449579 +1500：￥1.26077 +3000：￥1.095576	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON3414 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.047419 +6000：￥1.029939 +9000：￥1.012459 +12000：￥0.995094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（3x3）封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）