类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 30V

连续漏极电流(Id)： 4A

功率(Pd)： 1.4W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 55mΩ@10V,4A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.4V@250uA

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.34 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）