锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 AO340623 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AO3406_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

30V N沟道MOSFET SOT23 ID=3.6A PD=1.4W

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥1.311413

+10:

¥1.210535

+30:

¥1.190359

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3L

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AO3406_未分类
授权代理品牌

场效应管(MOSFET) AO3406 SOT-23

未分类

+20:

¥1.228271

+100:

¥0.830181

+800:

¥0.608509

+3000:

¥0.443223

+6000:

¥0.420959

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AO3406_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥1.347093

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 3.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.4W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AO3406_未分类
AO3406
授权代理品牌

AO3406 VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+10:

¥0.385761

+300:

¥0.36974

+30000:

¥0.353614

+51000:

¥0.347185

+99000:

¥0.321467

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
AO3406_未分类
AO3406
授权代理品牌

AO3406 KUU/深圳永裕泰

未分类

+3000:

¥0.240309

+9000:

¥0.231878

+90000:

¥0.221338

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
AO3406_未分类
AO3406
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3L

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 3.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.4W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AO3406_未分类
AO3406
授权代理品牌

AO3406 VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+20:

¥0.41744

+50:

¥0.392666

+200:

¥0.385605

+500:

¥0.378427

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
AO3406_未分类
AO3406
授权代理品牌
+1:

¥0.820757

+200:

¥0.529035

+1500:

¥0.460272

+3000:

¥0.407136

+45000:

¥0.403201

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
AO3406_未分类
AO3406
授权代理品牌
+50:

¥0.583443

+200:

¥0.554503

+500:

¥0.525909

+1000:

¥0.484119

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AO3406_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥0.542711

+6000:

¥0.530578

+9000:

¥0.469916

+30000:

¥0.46385

+75000:

¥0.394118

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 3.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.4W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AO3406参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 3.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.4W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)