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AOSS32334C
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场效应管(MOSFET) AOSS32334C SOT-23-3

未分类

+10:

¥1.590182

+200:

¥1.074722

+800:

¥0.790493

+3000:

¥0.573298

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¥0.544621

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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AOSS32334C
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¥1.067923

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¥0.872105

+150:

¥0.788184

+500:

¥0.683501

+3000:

¥0.636951

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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AOSS32334C_晶体管-FET,MOSFET-单个
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+1:

¥0.863335

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 6.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 600 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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AOSS32334C
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MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3

未分类

+3000:

¥0.806863

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 6.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 600 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥0.976341

+200:

¥0.672927

+1500:

¥0.610647

+3000:

¥0.571751

+45000:

¥0.566542

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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AOSS32334C
授权代理品牌
+3000:

¥0.836268

+6000:

¥0.822377

+9000:

¥0.80837

+12000:

¥0.794478

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 6.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 600 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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AOSS32334C
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+70:

¥1.431302

+200:

¥0.986515

库存: 1000 +

国内:1~2 天

封装/外壳: SOT23-3

FET类型: N-Channel

栅极电压Vgs: 20V

漏源极电压Vds: 30V

连续漏极电流Id: 6.2A

Rds OnMax@Id,Vgs: 20mΩ@10V

Pd-功率耗散Max: 1.3W

自营 国内现货
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+3000:

¥0.571886

+6000:

¥0.559169

+9000:

¥0.495267

+30000:

¥0.488877

+75000:

¥0.415358

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 6.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 600 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AOSS32334C_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥1.298549

+6000:

¥1.188552

+9000:

¥1.131948

+15000:

¥1.067998

+21000:

¥1.029904

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 6.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 600 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AOSS32334C_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥6.731399

+10:

¥4.084736

+100:

¥2.582409

+500:

¥1.927936

+1000:

¥1.716355

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

AOSS32334C参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 6.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 600 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)