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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON2290 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B 下载数据手册未分类	+5000：￥1.529867	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-DFN（2x2）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON2290 AOS 授权代理品牌	AON2290 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥3.064371 +30：￥2.298752 +100：￥2.07204 +500：￥1.994572 +1500：￥1.938605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON2290 AOS 授权代理品牌	AON2290 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥4.045205 +50：￥3.371004 +1500：￥3.124661 +3000：￥2.891284	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON2290 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.750517 +6000：￥2.704675 +9000：￥2.658833 +12000：￥2.612991	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-DFN（2x2）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON2290 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.89619 +5000：￥1.832984 +9000：￥1.785636 +15000：￥1.769777	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-DFN（2x2）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON2290 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.039707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-DFN（2x2）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON2290 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.543399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-DFN（2x2）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON2290 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.272441 +10：￥5.400418 +100：￥3.755816 +500：￥2.932749 +1000：￥2.543399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-DFN-EP (2x2)
AON2290 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.272441 +10：￥5.400418 +100：￥3.755816 +500：￥2.932749 +1000：￥2.543399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-DFN-EP (2x2)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON2290 Alpha & Omega Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 6-Pin DFN-B EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥2.567758	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

AON2290参数规格

属性	参数值
品牌:	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	72 毫欧 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	415 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-DFN（2x2）
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON2290 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B 下载数据手册未分类	+5000：￥1.529867	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-DFN（2x2）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON2290 AOS 授权代理品牌	AON2290 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥3.064371 +30：￥2.298752 +100：￥2.07204 +500：￥1.994572 +1500：￥1.938605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON2290 AOS 授权代理品牌	AON2290 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥4.045205 +50：￥3.371004 +1500：￥3.124661 +3000：￥2.891284	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON2290 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.750517 +6000：￥2.704675 +9000：￥2.658833 +12000：￥2.612991	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-DFN（2x2）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON2290 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.89619 +5000：￥1.832984 +9000：￥1.785636 +15000：￥1.769777	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-DFN（2x2）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）