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	AON7534 AOS 授权代理品牌	表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta），30A（Tc） 3W（Ta），23W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.64934 +30：￥1.588703 +100：￥1.467428 +500：￥1.346153 +1000：￥1.285515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-DFN (3x3)

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	AON7534 AOS 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) AON7534 DFN(3x3) 下载数据手册未分类	+10：￥2.775135 +300：￥1.87671 +1000：￥1.377585 +5000：￥0.99825 +10000：￥0.948398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON7534 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN 下载数据手册未分类	+100：￥0.986529 +500：￥0.977846 +1000：￥0.969279 +3000：￥0.960713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1037 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），23W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7534 AOS 授权代理品牌	AON7534 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥1.530394 +100：￥1.150536 +500：￥1.036811 +2500：￥0.987905 +5000：￥0.942057	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7534 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥1.324636	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1037 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），23W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7534 AOS 授权代理品牌	AON7534 AOS 下载数据手册未分类	+5000：￥0.83349 +10000：￥0.819599 +15000：￥0.805707 +20000：￥0.791816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7534 AOS 授权代理品牌	AON7534 AOS 下载数据手册未分类	+10：￥0.902948 +300：￥0.887899 +500：￥0.872849 +1000：￥0.857801	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7534 AOS 授权代理品牌	AON7534 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥1.672537 +100：￥1.286122 +1250：￥1.070919 +2500：￥0.973679 +5000：￥0.893339	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7534 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥1.012227 +500：￥0.995094 +1000：￥0.986529 +3000：￥0.977846 +5000：￥0.977846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1037 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），23W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	AON7534 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥1.078791	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1037 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），23W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

AON7534参数规格

属性	参数值
品牌:	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Ta），30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	22 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1037 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta），23W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DFN-EP（3x3）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON7534 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN 下载数据手册未分类	+100：￥0.986529 +500：￥0.977846 +1000：￥0.969279 +3000：￥0.960713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1037 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），23W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7534 AOS 授权代理品牌	AON7534 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥1.530394 +100：￥1.150536 +500：￥1.036811 +2500：￥0.987905 +5000：￥0.942057	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7534 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥1.324636	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1037 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），23W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7534 AOS 授权代理品牌	AON7534 AOS 下载数据手册未分类	+5000：￥0.83349 +10000：￥0.819599 +15000：￥0.805707 +20000：￥0.791816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7534 AOS 授权代理品牌	AON7534 AOS 下载数据手册未分类	+10：￥0.902948 +300：￥0.887899 +500：￥0.872849 +1000：￥0.857801	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7534 AOS 授权代理品牌	AON7534 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥1.672537 +100：￥1.286122 +1250：￥1.070919 +2500：￥0.973679 +5000：￥0.893339	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7534 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥1.012227 +500：￥0.995094 +1000：￥0.986529 +3000：￥0.977846 +5000：￥0.977846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1037 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），23W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）