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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AS3BJ-M3/52T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.778839 +10：￥4.8158 +30：￥3.85264 +100：￥3.210493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.05 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 20 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 40pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AS3BJ-M3/52T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA 下载数据手册	+1：￥4.381517 +10：￥3.744977 +30：￥3.426707 +100：￥3.193309 +500：￥2.959911	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.05 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 20 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 40pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AS3BJ-M3/52T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+750：￥1.17101 +1500：￥0.904871 +2250：￥0.828545	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.05 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 20 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 40pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AS3BJ-M3/52T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+750：￥1.746034 +1500：￥1.721097	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.05 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 20 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 40pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：
	AS3BJ-M3/52T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥8.873209 +10：￥5.675794 +100：￥4.011302	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： DO-214AA, SMB 供应商器件封装： DO-214AA (SMB)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AS3BJ-M3/52T Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA 下载数据手册未分类	+1：￥8.291447 +10：￥5.654768 +100：￥4.228638 +250：￥3.797483 +500：￥1.907033	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.05 V 3 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 20 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 40pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AS3BJ-M3/52T Vishay 授权代理品牌	Diode Switching 600V 3A 2-Pin SMB T/R 下载数据手册未分类	+7500：￥2.405242 +8000：￥2.382025 +9000：￥2.357262 +10000：￥2.334045 +12000：￥2.310829	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

AS3BJ-M3/52T参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	600 V
电流 - 平均整流 (Io):	3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.05 V 3 A
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	1.5 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	20 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容:	40pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AA，SMB
供应商器件封装:	DO-214AA（SMB）
工作温度 - 结:	-55°C # 175°C
温度: