搜索 3N163-E3 共 2 条相关记录
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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 | 3N163-E3 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| 授权代理品牌 | 1+: |
3N163-E3参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 包装: | 散装 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 250 欧姆 100µA，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V 10µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3.5 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 375mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-72 |
| 封装/外壳: | TO-206AF，TO-72-4 金属罐 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |