类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 30V

连续漏极电流(Id)： 5.8A

功率(Pd)： 1.4W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 25mΩ@10V,5.8A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)： 9.7nC@4.5V

输入电容(Ciss@Vds)： 823pF@15V

反向传输电容(Crss@Vds)： 77pF@15V

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 59mOhm @ 2.8A, 2.5V

Power Dissipation (Max)： 1.4W

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.4V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23

Part Status： Active

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 9.5 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 820 pF @ 15 V

品牌： Keystone Electronics

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

原型板类型： 模拟板，预穿孔绝缘

镀层： 无镀层通孔（NPTH）

间距： 0.100（2.54mm）

电路图案： -

边缘触头： -

孔径： 0.042（1.07mm）

大小 / 尺寸： 6.00 长 x 4.50 宽（152.4mm x 114.3mm）

板厚度： 0.062（1.57mm）1/16#

温度：