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2SAR523UBTL_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 50V 0.1A UMT3F

双极性晶体管

+1:

¥0.162176

+10:

¥0.149701

+30:

¥0.147209

+100:

¥0.139719

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

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2SAR523UBTL_双极性晶体管
授权代理品牌

三极管(晶体管) 2SAR523UBTL SOT-323FL

双极性晶体管

+100:

¥0.214848

+1000:

¥0.160704

+3000:

¥0.119376

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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2SAR523UBTL_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 50V 0.1A UMT3F

双极性晶体管

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¥0.186538

+200:

¥0.154872

+600:

¥0.137279

+3000:

¥0.126725

+9000:

¥0.117577

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

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2SAR523UBTL_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 50V 0.1A UMT3F

双极性晶体管

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¥0.106722

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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2SAR523UBTL_双极性晶体管
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TRANS PNP 50V 0.1A UMT3F

双极性晶体管

+3000:

¥0.259222

+6000:

¥0.233807

+15000:

¥0.203322

+30000:

¥0.182977

+75000:

¥0.16263

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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2SAR523UBTL_双极性晶体管
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TRANS PNP 50V 0.1A UMT3F

双极性晶体管

+3000:

¥0.447935

+6000:

¥0.404017

+15000:

¥0.351341

+30000:

¥0.316183

+75000:

¥0.281024

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

2SAR523UBTL_双极性晶体管
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TRANS PNP 50V 0.1A UMT3F

双极性晶体管

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¥2.485894

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¥2.30833

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¥0.772994

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¥0.52701

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

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TRANS PNP 50V 0.1A UMT3F

双极性晶体管

+1:

¥2.485894

+10:

¥2.30833

+100:

¥1.255968

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¥0.772994

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¥0.52701

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

Mouser
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2SAR523UBTL_未分类
2SAR523UBTL
授权代理品牌

TRANS PNP 50V 0.1A UMT3F

未分类

+1:

¥2.857149

+10:

¥2.666673

+100:

¥1.455786

+500:

¥0.897961

+1000:

¥0.612247

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

2SAR523UBTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-85
供应商器件封装: UMT3F
温度: 150°C(TJ)