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搜索 2SA1162-Y,LF 共 9 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1162-Y,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+10：￥0.355632 +100：￥0.295254 +300：￥0.265064 +3000：￥0.242423 +6000：￥0.22431	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1162-Y,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥0.154154	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1162-Y,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1162-Y,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+3000：￥0.217198 +6000：￥0.205372 +9000：￥0.174797 +30000：￥0.161672 +75000：￥0.139823	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1162-Y,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+3000：￥0.375318 +6000：￥0.354882 +9000：￥0.302048 +30000：￥0.27937 +75000：￥0.241614	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）
	2SA1162-Y,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥2.118322 +10：￥1.54513 +100：￥0.831131 +500：￥0.652444 +1000：￥0.453073	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 125°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini
	2SA1162-Y,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥2.118322 +10：￥1.54513 +100：￥0.831131 +500：￥0.652444 +1000：￥0.453073	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 125°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1162-Y,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 下载数据手册未分类	+1：￥2.693285 +10：￥1.790244 +100：￥0.839673 +1000：￥0.491128 +3000：￥0.411914	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1162-Y,LF Toshiba 授权代理品牌	Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥0.334286 +9000：￥0.277251 +24000：￥0.266161 +45000：￥0.253486 +99000：￥0.228137	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

2SA1162-Y,LF参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	150 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	120 2mA，6V
功率 - 最大值:	150 mW
频率 - 跃迁:	80MHz
工作温度:	125°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	S-Mini
温度:	125°C（TJ）